Areas | |
---|---|
Serie de libros (92) |
1308
|
Letra |
2293
|
Ciencias Naturales |
5354
|
Ciencias Ingeniería |
1746
|
Ingeniería | 284 |
Ingeniería mecánica y de proceso | 842 |
Ingeniería eléctrica | 670 |
Mineria y metalurgía | 30 |
Arquitectura e ingeniería civil | 73 |
General |
91
|
Leitlinien Unfallchirurgie
5. Auflage bestellen |
Indice, PDF (34 KB)
Lectura de prueba, PDF (250 KB)
Wichtiger Bestandteil moderner Kommunikationssysteme sind hochfrequente Funkverbindungen für die Satellitenkommunikation. Die Elektronik für die Erzeugung und den Empfang von Signalen im Zentimeterwellenbereich (3-30 GHz) steht dadurch in großem Interesse von Industrie und Forschung. Als Basis für die Herstellung neuartiger Lösungen dienen neben den weit verbreiteten Silizium-Materialsystemen auch Verbindungshalbleiter von Gruppe III und Gruppe V Elementen die im Fokus dieser Arbeit stehen. Durch die Kombination von Materialien unterschiedlicher Eigenschaften lassen sich die elektronischen Kenndaten von Halbleiterbauelementen wie Dioden und Transistoren manipulieren, um neue Funktionalitäten zu erzielen oder zu kombinieren oder höchste Geschwindigkeiten zu erreichen. Die Resonanztunneldiode (RTD) ist in dieser Gruppe ein besonders attraktives Bauelement, da sie eine stark nichtlineare Kennlinie bis zu höchsten Frequenzen aufweist. Dieses Buch behandelt die Weiterentwicklung von Technologie, Modellbildung und Schaltungsintegration der RTD-Technologie anhand der Realisierung eines monolithisch integrierten 20-GHz Oszillators mit besonders guter Energieeffizienz für die Anwendung in der Satellitenkommunikation.
ISBN-13 (Impresion) | 9783954048816 |
ISBN-13 (E-Book) | 9783736948815 |
Idioma | Deutsch |
Numero de paginas | 160 |
Laminacion de la cubierta | mate |
Edicion | 1. Aufl. |
Lugar de publicacion | Göttingen |
Lugar de la disertacion | Duisburg-Essen |
Fecha de publicacion | 10.12.2014 |
Clasificacion simple | Tesis doctoral |
Area |
Ingeniería eléctrica
|
Palabras claves | Oszillatoren, Tunneldiode, Frequenzsynthese, Heterostrukturen, Mikroelektronik, Indium Phospid Technologie |