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Limitierende Skalierungseffekte als Grundlage für innovative Feldeffekttransistoren

Martin Schlosser

Martin Schlosser studierte Physik an den Universitäten von Augsburg, Lund (Schweden) und München (LMU) mit Schwerpunkten Materialwissenschaft und Elektronik. Er diplomierte am Lehrstuhl für Biomolekulare Optik in München mit einer Arbeit über ultraschnelle Excitonentransferprozesse in dünnen Schichten aus Perylenbisimidfarbstoffen. Anschließend promovierte er am Institut für Physik der Universität der Bundeswehr München, Neubiberg, und beschäftigte sich mit Charakterisierung und Simulation von Tunnel- und Stoßionisationstransistoren sowie mit Halbleiteranalytik. Nebenbei studierte er im Fernstudium an der PFH Göttingen Betriebswirtschaftslehre und diplomierte mit Arbeiten über die strategische Verwendung standarddeckender Patente und über finanzwirtschaftliche Aspekte gewerblicher Schutzrechte.

Bereits während des Studiums begann er seine Tätigkeit im gewerblichen Rechtsschutz, was ihn zu seinem Traumberuf Patentanwalt führte.

Mitwirkend an folgenden Publikationen

Limitierende Skalierungseffekte als Grundlage für innovative Feldeffekttransistoren
Limitierende Skalierungseffekte als Grundlage für innovative Feldeffekttransistoren
Martin Schlosser
Autor
ISBN-13 (Printausgabe): 978-3-95404-317-0
Price_print
EUR 38,00 EUR 36,10
16.01.2013

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