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Hochfeld-Transporteffekte in Heterostruktur-Feldeffekttransistoren und ihr Einfluss auf das Hochfrequenzverhalten

Printausgabe
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Hochfeld-Transporteffekte in Heterostruktur-Feldeffekttransistoren und ihr Einfluss auf das Hochfrequenzverhalten

Mark Isler (Autor)

Vorschau

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Leseprobe, Datei (48 KB)

ISBN-13 (Printausgabe) 3898737179
ISBN-13 (Printausgabe) 9783898737173
ISBN-13 (E-Book) 9783736907171
Sprache Deutsch
Seitenanzahl 230
Auflage 1
Band 0
Erscheinungsort Göttingen
Promotionsort Göttingen
Erscheinungsdatum 07.05.2003
Allgemeine Einordnung Dissertation
Fachbereiche Maschinenbau und Verfahrenstechnik