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Titelbild-leitlinien
Hocheffiziente frequenzagile Mikrowellen-Leistungsverstärker auf Basis von Verbindungshalbleitern und Ferroelektrika

Printausgabe
EUR 54,00

E-Book
EUR 37,80

Hocheffiziente frequenzagile Mikrowellen-Leistungsverstärker auf Basis von Verbindungshalbleitern und Ferroelektrika (Band 52)

Sebastian Preis (Autor)

Vorschau

Leseprobe, PDF (580 KB)
Inhaltsverzeichnis, PDF (520 KB)

ISBN-13 (Printausgabe) 9783736970045
ISBN-13 (E-Book) 9783736960046
Sprache Deutsch
Seitenanzahl 196
Umschlagkaschierung matt
Auflage 1.
Buchreihe Innovationen mit Mikrowellen und Licht. Forschungsberichte aus dem Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik
Band 52
Erscheinungsort Göttingen
Promotionsort TU Berlin
Erscheinungsdatum 28.05.2019
Allgemeine Einordnung Dissertation
Fachbereiche Nachrichten- und Kommunikationstechnik
Schlagwörter Verstärker, amplifier, Lastmodulation, load-modulation, Spannungsmodulation, supply-modulation, Varaktor, varactor, Modulator, modulator, Rundfunk, broadcasting, Mobilfunk, mobile communication, Satellitenfunk, satellite communication, Richtfunk, point-to-point-communication, Anpassung, matching, Betriebsarten, operation classes, Diode, diode, HEMT, Gallium Nitrid (GaN), Barium-Strontium-Titanat (BST), Anpassnetzwerk, matching network, Verstärkung, gain, Dämpfung, attenuation, Leiterplatte, printed-circuit-board (PCB), Wirkungsgrad, efficiency, Linearität, linearity, Oberwellen, harmonics, Mischprodukte, intermodulation-products, Gehäuse, case, bond-wire, Transistor, transistor, Abschluss, termination, Aluminiumnitrid (AlN), Aluminiumoxid (Al2O3), alumina, bias-tee (bias-t), Spektrum, spectrum, Funkzelle, cell, back-off, Leistung, power, Ausgangsleistung, output power, Stabilität, stability, Dünnfilm, thin-film, Dickfilm, thick-film, Netzwerk, network, Transformationsnetzwerk, transformation network, Anpassnetzwerk, matching network, Hochfrequenztechnik
URL zu externer Homepage https://www.fbh-berlin.de/publikationen-patente/forschungsberichte
Beschreibung

Diese Arbeit beschäftigt sich mit dem Entwurf, der Optimierung und Charakterisierung von GaN-HEMT-Leistungsverstärkern für Mobilfunkanwendungen. Der Fokus liegt hierbei auf steuerbaren Transformationsnetzwerken auf Basis elektronisch anpassbarer Barium-Strontium-Titanat (BST)-Varaktoren. Dabei konnte die Leistungsverträglichkeit jener BST-Varaktoren bis zu 50 W gesteigert werden, verbunden mit einer guten Linearität und geringen Temperaturabhängigkeit. Dies zielte darauf, den Wirkungsgrad von Leistungsverstärkern bei Leistungen deutlich unterhalb der Sättigung zu verbessern. Die so entwickelten steuerbaren Transformationsnetzwerke sind für gehäuseintegrierte Transistormodule optimiert. Auf diese Weise lassen sich platzsparende und äußerst flexibel einsetzbare Komponenten für Hochfrequenzanwendungen realisieren. Die Transistormodule erreichen einen hohen Wirkungsgrad von bis zu 72% PAE in der Sättigung. Sie verbessern zudem die PAE bei reduzierter Leistung um mehrere Prozentpunkte gegenüber statisch angepassten Transistoren.
Darüber hinaus sind sie über der Frequenz im S-Band nicht nur gut steuerbar, sondern lassen sich auch durch Änderung der Steuerspannung auf optimalen Wirkungsgrad oder Linearität bei verschiedenen Leistungspegeln anpassen. Auch hybride Verstärker werden vorgestellt, in denen diskret aufgebaute Varaktoren verbaut sind. Dank der verwendeten Modulatoren, für welche ebenfalls GaN-Transistoren und Dioden genutzt werden, bieten die Verstärker das Potenzial zur Lastmodulation. Dadurch steigt die Effizienz beim Betrieb mit modulierten Signalen. Für LTE-äquivalente Signale lässt sich die mittlere PAE um mehrere Prozentpunkte erhöhen, ohne die Linearität in einem System mit Vorverzerrung zu belasten.