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Untersuchung und Optimierung robuster und hochlinearer rauscharmer Verstärker in GaN-Technologie

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Untersuchung und Optimierung robuster und hochlinearer rauscharmer Verstärker in GaN-Technologie (Volumen 45) (Tienda española)

Cristina Andrei (Autor)

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ISBN-13 (Impresion) 9783736998100
ISBN-13 (E-Book) 9783736988101
Idioma Deutsch
Numero de paginas 148
Edicion 1.
Serie Innovationen mit Mikrowellen und Licht. Forschungsberichte aus dem Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik
Volumen 45
Lugar de publicacion Göttingen
Fecha de publicacion 20.06.2018
Clasificacion simple Tesis doctoral
Area Ciencias Ingeniería
Palabras claves Verstärker, robuste Verstärker, rauscharme Verstärker, hochlinear, Kommunikationstechnik, GaN Technologie
Descripcion

Die nächste Generation von integrierten Sende- und Empfangssystemen erfordert sowohl robuste rauscharme Verstärker als auch Leistungsverstärker auf einem einzelnen Chip. Die GaN-HEMT-Technologie eignet sich dank ihrer hohen Durchbruchspannungen, der hohen Elektronenbeweglichkeit und niedrigen Rauschzahl gut für die Realisierung derartiger Systeme.
Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit der Untersuchung und Optimierung von hochlinearen und robusten rauscharmen Verstärkern, welche in Sender-Empfänger-Systeme integriert werden können. Dabei werden die GaN-HEMTs bezüglich der Minimierung der Rauschzahl charakterisiert und mit hoher Überlast am Eingang belastet, um deren Eigenschaften im nichtlinearen Bereich zu analysieren.
Neben der Entwicklung und Charakterisierung der robusten rauscharmen Verstärker wurde ein neues Konzept entwickelt, gemessen und charakterisiert, mit dem die Robustheit weiter gesteigert werden kann. Das Konzept verwendet eine neuartige Zusammenschaltung zweier Transistoren am Verstärkereingang, wodurch sich die Spannungsfestigkeit gegenüber hohen Leistungspegeln erhöht. Damit konnten Höchstwerte von +44 dBm mit CW-Anregung und +47 dBm mit gepulster Anregung am Verstärkereingang ohne Beschädigung demonstriert werden.