Cookies help us deliver our services. By using our services, you agree to our use of cookies.
De En Es
Kundenservice: +49 (0) 551 - 547 24 0

Cuvillier Verlag

Publications, Dissertations, Habilitations & Brochures.
International Specialist Publishing House for Science and Economy

Cuvillier Verlag

Premiumpartner
De En Es
Untersuchung und Optimierung robuster und hochlinearer rauscharmer Verstärker in GaN-Technologie

Hard Copy
EUR 39.90

E-book
EUR 27.90

Untersuchung und Optimierung robuster und hochlinearer rauscharmer Verstärker in GaN-Technologie (Volume 45)

Cristina Andrei (Author)

Preview

Extract, PDF (150 KB)
Table of Contents, PDF (40 KB)

ISBN-13 (Hard Copy) 9783736998100
ISBN-13 (eBook) 9783736988101
Language Alemán
Page Number 148
Edition 1.
Book Series Innovationen mit Mikrowellen und Licht. Forschungsberichte aus dem Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik
Volume 45
Publication Place Göttingen
Publication Date 2018-06-20
General Categorization Dissertation
Departments Engineering
Keywords Verstärker, robuste Verstärker, rauscharme Verstärker, hochlinear, Kommunikationstechnik, GaN Technologie
Description

Die nächste Generation von integrierten Sende- und Empfangssystemen erfordert sowohl robuste rauscharme Verstärker als auch Leistungsverstärker auf einem einzelnen Chip. Die GaN-HEMT-Technologie eignet sich dank ihrer hohen Durchbruchspannungen, der hohen Elektronenbeweglichkeit und niedrigen Rauschzahl gut für die Realisierung derartiger Systeme.
Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit der Untersuchung und Optimierung von hochlinearen und robusten rauscharmen Verstärkern, welche in Sender-Empfänger-Systeme integriert werden können. Dabei werden die GaN-HEMTs bezüglich der Minimierung der Rauschzahl charakterisiert und mit hoher Überlast am Eingang belastet, um deren Eigenschaften im nichtlinearen Bereich zu analysieren.
Neben der Entwicklung und Charakterisierung der robusten rauscharmen Verstärker wurde ein neues Konzept entwickelt, gemessen und charakterisiert, mit dem die Robustheit weiter gesteigert werden kann. Das Konzept verwendet eine neuartige Zusammenschaltung zweier Transistoren am Verstärkereingang, wodurch sich die Spannungsfestigkeit gegenüber hohen Leistungspegeln erhöht. Damit konnten Höchstwerte von +44 dBm mit CW-Anregung und +47 dBm mit gepulster Anregung am Verstärkereingang ohne Beschädigung demonstriert werden.