Las cookies nos ayudan a ofrecer nuestros servicios. Al utilizar nuestros servicios, aceptas el uso de cookies.

Editorial Cuvillier

Publicaciones, tesis doctorales, capacitaciónes para acceder a una cátedra de universidad & prospectos.
Su editorial internacional especializado en ciencias y economia

Editorial Cuvillier

De En Es
Materialaspekte der Hydridgasphasenepitaxie von Aluminiumgalliumnitrid

Impresion
EUR 41,80

E-Book
EUR 29,30

Materialaspekte der Hydridgasphasenepitaxie von Aluminiumgalliumnitrid (Volumen 53) (Tienda española)

Simon Fleischmann (Autor)

Previo

Lectura de prueba, PDF (2,1 MB)
Indice, PDF (540 KB)

ISBN-13 (Impresion) 9783736970298
ISBN-13 (E-Book) 9783736960299
Idioma Deutsch
Numero de paginas 160
Laminacion de la cubierta mate
Edicion 1.
Serie Innovationen mit Mikrowellen und Licht. Forschungsberichte aus dem Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik
Volumen 53
Lugar de publicacion Göttingen
Lugar de la disertacion TU Berlin
Fecha de publicacion 03.07.2019
Clasificacion simple Tesis doctoral
Area Física
Física de materia condensada ( incluyendo física de cuerpos solidos, optica)
Palabras claves Physik, Hydridgasphasenepitaxie, Aluminiumgalliumnitrid, Kristallstruktur von III Nitriden, AIN Pufferschicht, AlGaN-Schicht
Descripcion

Diese Arbeit bearbeitet grundlegende Probleme bei der Abscheidung von AlGaN mittels Hydridgasphasenepitaxie (HVPE). Die Ergebnisse eröffnen die Möglichkeit, dicke AlGaN-Schichten mittels HVPE als Substrate für AlGaN-basierte Bauelemente herzustellen.
Beim lateralen Überwachsen von strukturierten Saphirsubstraten zum Spannungsabbau entstehen unerwünschte fehlorientierte Kristallite, welche die Koaleszenz der AlGaN-Schicht verzögern. Untersuchungen dieser Domänen ermöglichen es, ein Modell zur Nukleation und Propagation dieser AlGaN-Domänen zu entwickeln. Damit kann eine neuartige trigonale Saphirstrukturierung entwickelt werden, die es erlaubt, die Bildung fehlorientierter Kristallite zu unterdrücken und deren Propagation zu blockieren. Auf diese Weise lassen sich AlGaN-Schichten mit erhöhter Materialqualität abscheiden.
Weiter wird der Wirkmechanismus der AlN-Pufferschicht untersucht, um die Materialqualität der AlGaN-Schichten zu erhöhen. Die Verwendung eines Kompositionsgradienten wird erfolgreich evaluiert. Durch gezieltes Einbringen kompressiver Spannung gelingt es, den Spannungszustand in der AlGaN-Schicht zu kontrollieren. Eine Quelle tensiler Spannung – die hohe Hintergrunddotierung mit Silizium – kann einer parasitären Reaktion zugeordnet werden. Diese lässt sich durch Substitution des Reaktormaterials unterbinden. Dadurch kann die Versetzungsdichte über die Schichtdicke reduziert werden, ohne weitere tensile Spannung in AlGaN-Schichten zu erzeugen. Dies wiederum ist ein maßgeblicher Mechanismus für die Herstellung defektreduzierter Schichten, die als Substrate eingesetzt werden können.