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Editorial Cuvillier

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Editorial Cuvillier

De En Es
Design von GaN Transistoren für leistungselektronische Anwendungen

Impresion
EUR 57,90

E-Book
EUR 42,90

Design von GaN Transistoren für leistungselektronische Anwendungen (Volumen 65) (Tienda española)

Rimma Zhytnytska (Autor)

Previo

Lectura de prueba, PDF (1,4 MB)
Indice, PDF (98 KB)

ISBN-13 (Impresion) 9783736974135
ISBN-13 (E-Book) 9783736964136
Idioma Deutsch
Numero de paginas 182
Laminacion de la cubierta mate
Edicion 1
Serie Innovationen mit Mikrowellen und Licht. Forschungsberichte aus dem Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik
Volumen 65
Lugar de publicacion Göttingen
Lugar de la disertacion Berlin
Fecha de publicacion 05.05.2021
Clasificacion simple Tesis doctoral
Area Ingeniería eléctrica
Palabras claves Transistor, GaN-basiert, GaN-based, transistor, Stromtragfähigkeit, current carrying capacity, Schaltgeschwindigkeit, switching speed, Transistorstruktur, transistor structure, Transistordesign, transistor design, off-state Leckströme, Leckströme im AlGaN/GaN HEMT, Halbleiter, semiconductor, Schottky-Gate, p-GaN-Gate, SiN-Passivierung, SiN passivation, Isolation, insulation, Verbindungsmetallisierung, connection metallisation, HV-Passivierung, HV passivation, Schalttransistor, switching transistor, 2-dimensionales Elektronengas, 2-dimensional electron gas, Gleichstrom, Wechselstrom, alternating current, direct current, Wärmeübergangswiderstand, thermal boundary resistance, Leistungselektronik, power electronics, High-Electron-Mobility-Transistor, Hochelektronenmobilitätstransistor, Gate-Drain Abstand, Gate-Source Abstand, Drain-Source Strom, Drain-Source current, Gate-Source Strom, Gatelänge, Transferlänge, Kontaktwiderstand, photovoltaics, Photovoltaik, Elektromobilität, electromobility, Konsumelektronik, consumer electronics, MOSFET Transistioren, Elektronenbeweglichkeit, electron mobility, Elektronengeschwindigkeit, electron velocity, Feldeffekttransistor, field effect transistor, DC-DC Konverter, DC-DC Converter, Schaltfrequenz, switching frequency, maximale Sperrspannung, maximum reverse voltage, Signalausbreitung, signal propagation, Transistorkenngrößen, epitaxische Struktur, epitaxial structure, Backend Prozesse, backend processes, ohmische Kontakt, ohmic contact, Benzocyclobuten, Leckstrompfad, leakage current path
Descripcion

GaN-basierte Transistoren werden seit einigen Jahren als vielversprechende Kandidaten für zukünftige leistungselektronische Anwendungen gehandelt. Bei der Entwicklung dieser Bauelemente sollen insbesondere deren Durchbruchfestigkeit, Stromtragfähigkeit und Schaltgeschwindigkeit erhöht werden. Parallel soll die Effizienz immer besser werden. Um dies zu erreichen, müssen sowohl die epitaxische Struktur als auch das Design der Transistorstruktur optimiert werden.
Im Rahmen dieser Arbeit wurde eine umfassende systematische Studie der Designparameter eines AlGaN/GaN-HEMTs durchgeführt. Ziel dabei war es, ein Transistordesign zu entwickeln, das für leistungselektronische Anwendungen optimiert ist. Die entsprechenden Maßnahmen gliederten sich in zwei große Bereiche: „Design für hohe Spannung“ und „Design für niedrigen Ron und hohe Stromtragfähigkeit“.
Im Rahmen von Voruntersuchungen wurden systematische Erkenntnisse, Optimierungsmaßnahmen und technologische Lösungen erarbeitet, die in ein neues Transistordesign einflossen. Ein entsprechend optimiertes Design für die angestrebte 65 mΩ-Klasse wurde vorgeschlagen: 134 Finger à 1,6 mm Fingerlänge bei einer Gesamtgateweite Wg = 214,4 mm auf einer Fläche von 10,12 mm². Die optimierten Transistoren wurden am FBH mittels p-GaN-Gate Normally-off-Technologie hergestellt. Im on-state wurde gezeigt, dass die Ströme von Ids max ~ 111 A bei einem Ron von ~ 52 mΩ und erreicht werden. Im off-state erreichten die Leistungselektronik-Transistoren die Durchbruchspannung von 700 V bei einem off-state Leckstrom unter 100 μA. Die hier entwickelten Transistoren zeigten sowohl im on- als auch im off-state ein gutes Potential für den Einsatz in leistungselektronischen Anwendungen bis 600 V.