Las cookies nos ayudan a ofrecer nuestros servicios. Al utilizar nuestros servicios, aceptas el uso de cookies.

Editorial Cuvillier

Publicaciones, tesis doctorales, capacitaciónes para acceder a una cátedra de universidad & prospectos.
Su editorial internacional especializado en ciencias y economia

Editorial Cuvillier

De En Es
Kontaktlose induktive EMV-Messverfahren unter Einbeziehung von Biasströmen

Impresion
EUR 54,90

E-Book
EUR 38,90

Kontaktlose induktive EMV-Messverfahren unter Einbeziehung von Biasströmen (Tienda española)

Martin Harm (Autor)

Previo

Lectura de prueba, PDF (210 KB)
Indice, PDF (55 KB)

ISBN-13 (Impresion) 9783736975965
ISBN-13 (E-Book) 9783736965966
Idioma Deutsch
Numero de paginas 184
Laminacion de la cubierta mate
Edicion 1.
Lugar de publicacion Göttingen
Lugar de la disertacion Braunschweig
Fecha de publicacion 21.03.2022
Clasificacion simple Tesis doctoral
Area Ingeniería eléctrica
Ingeniería eléctrica general
Ingeniería de energía
Palabras claves Kontaktlose Messverfahren, Induktive Messverfahren, Elektromagnetische Verträglichkeit (EMV), Biasstrom, DC-Bias, Bias, Gleichstrom, Leistungselektronik, In situ, Hochfrequenz (HF), Stromzange, Kalibrierung, Magnetische Sättigung, Kernmaterialien, Permeabilität, Messabweichung, Messunsicherheit, Impedanzmessung, Strommessung, Störstrommessung, Transformator, Übertrager, Nanokristalline Kernmaterialien, Vektorielle Netzwerkanalyse, Kalibrierstandard, Hysterese, Ferrite, Ferritkerne, Zweitortheorie, Zweitor, Doppelstromzange, Fehlerkorrektur, Effizienz, blackbox, Betriebsstrom, contactless measurement, inductive measurement, electromagnetic compatibility (EMC), bias current, DC bias, bias, direct current, power electronics, in situ measurement, high frequency (HF), radio frequency (RF), current probe, calibration, magnetic saturation, magnetic core materials, permeability, measurement error, measurement uncertainty, impedance measurement, current measurement, interference current measurement, transformer, RF transformer, nanocrystalline materials, vector network analysis, calibration standard, hysteresis, ferrites, ferrite core, two-port network theory, two-port network, double current porbe, error correction, Efficiency, black box, operational current, Permittivität, absolute Permeabilität, Impedanz, Freirauminduktivität, free space inductance, Sättigungsmagnetisierung, saturation magnetisation, regenerative Energiequellen, Halbleitertechnologien, semiconductor technologies
URL para pagina web externa https://www.tu-braunschweig.de/emv
Descripcion

Für die optimale Auslegung von EMV-Maßnahmen ist die Kenntnis der Hochfrequenzeigenschaften der zu entstörenden Systeme entscheidend. Da die Eigenschaften und Störgrößen jedoch grundsätzlich von der tatschlichen Einbausituation und dem Betriebszustand des Systems abhängen, ist eine In-situ-Vermessung anzustreben. Kalibrierte induktive Messzangen eignen sich prinzipiell für die kontaktlose breitbandige Messung von Störströmen und Impedanzen. Die zugehörige Kalibriermethode wird vorgestellt und Optimierungsmöglichkeiten aufgezeigt.
Induktive Messzangen sind im Frequenzbereich von 9 kHz bis 500 MHz auf Ferritkerne zur Verbesserung der Kopplung angewiesen. Hohe DC- oder NF-Betriebsströme des zu vermessenden Systems führen somit zwangsläufig zu Sättigungseffekten in den Kernen der Messzangen und es kommt zu Messabweichungen. In dieser Arbeit wird der Einfluss dieser so genannten Biasströme auf induktive HF-Messverfahren theoretisch abgeschätzt und experimentell untersucht. Es wird ein geeigneter Referenzmessaufbau vorgestellt und damit die Messabweichungen für die Impedanz- und die Strommessung bei DC-Biasströmen bis 200 A erstmals explizit sichtbar gemacht. Es wird gezeigt, dass sich der Einfluss der Betriebsströme durch Designmaßnahmen und die Verwendung nanokristalliner Kernmaterialien deutlich verringern lässt. Die systematische Charakterisierung der biasstromabhängigen Eigenschaften der Messzangen ermöglicht darüber hinaus einerseits eine genaue Analyse der Messabweichungen und andererseits eine Korrektur des Biasstromeinflusses.