Editorial Cuvillier
| Areas | |
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| Serie de libros (90) |
1262
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| Letra |
2248
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| Ciencias Naturales |
5309
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| Ciencias Ingeniería |
1713
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| Ingeniería | 283 |
| Ingeniería mecánica y de proceso | 835 |
| Ingeniería eléctrica | 655 |
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| Arquitectura e ingeniería civil | 73 |
| General |
91
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Leitlinien Unfallchirurgie
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Analyse und Optimierung der parasitären Elemente in integrierten SiC-Traktionsumrichtern hoher Leistungsdichte (Tienda española)
Jasper Schnack (Autor)Previo
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Indice, PDF (130 KB)
| ISBN-13 (Impresion) | 9783736977495 |
| ISBN-13 (E-Book) | 9783736967496 |
| Idioma | Deutsch |
| Numero de paginas | 230 |
| Laminacion de la cubierta | Brillante |
| Edicion | 1. |
| Lugar de publicacion | Göttingen |
| Lugar de la disertacion | Braunschweig |
| Fecha de publicacion | 08.03.2023 |
| Clasificacion simple | Tesis doctoral |
| Area |
Ciencias Ingeniería
Ingeniería de energía |
| Palabras claves | Traktionsumrichter, Elektrofahrzeuge, Antriebsumrichter, elektrischer Antriebsstrang, parasitäre Elemente, Siliziumcarbid (SiC), Galiumnitrid (GaN), Wide-Bandgap, neuartiges Halbleitermaterial, Leistungshalbleiter, Optimierung, Modellbildung, Simulation, EMV, Filter, Magnetische Bauelemente, parasitäre Kapazitäten, hartes Schalten, Leistungsdichte, Kommutierungsmasche, Induktivität, Kapazität, Schaltfrequenz, Wirkungsgrad, Impedanzanalyse, Energiesysteme, erneuerbare Energien, Flankensteilheit, Zwischenkreiskondensator, Leistungsmodul, Systemkomponenten, mechatronische Integration, elektrische Maschine, Zwischenkreisverschienung, Leistungskontakte, LaSiC, Gate-Ansteuerpfad, Multilagen-Technologie, Ersatzschaltbild, Niederinduktivität, Elektrolytkondensator, Folienkondensator, Traction inverter, electric vehicles, drive converters, electric drive train, parasitic elements, silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), wide bandgap, new semiconductor material, power semiconductors, optimization, modeling, simulation, EMC, filters, magnetic components, parasitic capacitances, hard switching, Power density, commutation mesh, inductance, capacitance, switching frequency, efficiency, impedance analysis, energy systems, renewable energies, edge steepness, intermediate circuit capacitor, power module, system components, mechatronic integration, electric machine, dc link, busbar, power contacts, LaSiC, gate drive path, multilayer technology, equivalent circuit diagram, low inductance, aluminum electrolytic capacitor, film capacitor |
Descripcion
Für einen erfolgreichen Einsatz von Wide-Bandgap mit einer hohen Flankensteilheit ist die Beherrschung der parasitären Elemente von zentraler Bedeutung. Am Beispiel eines integrierten Traktionsumrichters auf Basis von Siliziumcarbid werden in dieser Arbeit die parasitären Elemente des Leistungs- und Ansteuerteils analysiert und optimiert. Ziel ist die gezielte Optimierung der parasitären Elemente in den Komponenten Leistungsmodul, Zwischenkreiskondensator, Zwischenkreis und Ansteuerpfad unter Berücksichtigung des Systemgedankens. Diese Arbeit liefert einen Beitrag für Design-Richtlinien von Systemkomponenten aus Sicht des Gesamtsystems, sodass Barrieren für den erfolgreichen Einsatz von Wide-Bandgap Leistungshalbleitern in Antriebsumrichtern überwunden werden können.
