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Analyse und Optimierung der parasitären Elemente in integrierten SiC-Traktionsumrichtern hoher Leistungsdichte

Printausgabe
EUR 89,90

E-Book
EUR 63,50

Analyse und Optimierung der parasitären Elemente in integrierten SiC-Traktionsumrichtern hoher Leistungsdichte

Jasper Schnack (Autor)

Vorschau

Leseprobe, PDF (460 KB)
Inhaltsverzeichnis, PDF (130 KB)

ISBN-13 (Printausgabe) 9783736977495
ISBN-13 (E-Book) 9783736967496
Sprache Deutsch
Seitenanzahl 230
Umschlagkaschierung glänzend
Auflage 1.
Erscheinungsort Göttingen
Promotionsort Braunschweig
Erscheinungsdatum 08.03.2023
Allgemeine Einordnung Dissertation
Fachbereiche Ingenieurwissenschaften
Energietechnik
Schlagwörter Traktionsumrichter, Elektrofahrzeuge, Antriebsumrichter, elektrischer Antriebsstrang, parasitäre Elemente, Siliziumcarbid (SiC), Galiumnitrid (GaN), Wide-Bandgap, neuartiges Halbleitermaterial, Leistungshalbleiter, Optimierung, Modellbildung, Simulation, EMV, Filter, Magnetische Bauelemente, parasitäre Kapazitäten, hartes Schalten, Leistungsdichte, Kommutierungsmasche, Induktivität, Kapazität, Schaltfrequenz, Wirkungsgrad, Impedanzanalyse, Energiesysteme, erneuerbare Energien, Flankensteilheit, Zwischenkreiskondensator, Leistungsmodul, Systemkomponenten, mechatronische Integration, elektrische Maschine, Zwischenkreisverschienung, Leistungskontakte, LaSiC, Gate-Ansteuerpfad, Multilagen-Technologie, Ersatzschaltbild, Niederinduktivität, Elektrolytkondensator, Folienkondensator, Traction inverter, electric vehicles, drive converters, electric drive train, parasitic elements, silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), wide bandgap, new semiconductor material, power semiconductors, optimization, modeling, simulation, EMC, filters, magnetic components, parasitic capacitances, hard switching, Power density, commutation mesh, inductance, capacitance, switching frequency, efficiency, impedance analysis, energy systems, renewable energies, edge steepness, intermediate circuit capacitor, power module, system components, mechatronic integration, electric machine, dc link, busbar, power contacts, LaSiC, gate drive path, multilayer technology, equivalent circuit diagram, low inductance, aluminum electrolytic capacitor, film capacitor
Beschreibung

Für einen erfolgreichen Einsatz von Wide-Bandgap mit einer hohen Flankensteilheit ist die Beherrschung der parasitären Elemente von zentraler Bedeutung. Am Beispiel eines integrierten Traktionsumrichters auf Basis von Siliziumcarbid werden in dieser Arbeit die parasitären Elemente des Leistungs- und Ansteuerteils analysiert und optimiert. Ziel ist die gezielte Optimierung der parasitären Elemente in den Komponenten Leistungsmodul, Zwischenkreiskondensator, Zwischenkreis und Ansteuerpfad unter Berücksichtigung des Systemgedankens. Diese Arbeit liefert einen Beitrag für Design-Richtlinien von Systemkomponenten aus Sicht des Gesamtsystems, sodass Barrieren für den erfolgreichen Einsatz von Wide-Bandgap Leistungshalbleitern in Antriebsumrichtern überwunden werden können.