Cuvillier Verlag
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Analyse und Optimierung der parasitären Elemente in integrierten SiC-Traktionsumrichtern hoher Leistungsdichte
Jasper Schnack (Autor)Vorschau
Leseprobe, PDF (460 KB)
Inhaltsverzeichnis, PDF (130 KB)
| ISBN-13 (Printausgabe) | 9783736977495 |
| ISBN-13 (E-Book) | 9783736967496 |
| Sprache | Deutsch |
| Seitenanzahl | 230 |
| Umschlagkaschierung | glänzend |
| Auflage | 1. |
| Erscheinungsort | Göttingen |
| Promotionsort | Braunschweig |
| Erscheinungsdatum | 08.03.2023 |
| Allgemeine Einordnung | Dissertation |
| Fachbereiche |
Ingenieurwissenschaften
Energietechnik |
| Schlagwörter | Traktionsumrichter, Elektrofahrzeuge, Antriebsumrichter, elektrischer Antriebsstrang, parasitäre Elemente, Siliziumcarbid (SiC), Galiumnitrid (GaN), Wide-Bandgap, neuartiges Halbleitermaterial, Leistungshalbleiter, Optimierung, Modellbildung, Simulation, EMV, Filter, Magnetische Bauelemente, parasitäre Kapazitäten, hartes Schalten, Leistungsdichte, Kommutierungsmasche, Induktivität, Kapazität, Schaltfrequenz, Wirkungsgrad, Impedanzanalyse, Energiesysteme, erneuerbare Energien, Flankensteilheit, Zwischenkreiskondensator, Leistungsmodul, Systemkomponenten, mechatronische Integration, elektrische Maschine, Zwischenkreisverschienung, Leistungskontakte, LaSiC, Gate-Ansteuerpfad, Multilagen-Technologie, Ersatzschaltbild, Niederinduktivität, Elektrolytkondensator, Folienkondensator, Traction inverter, electric vehicles, drive converters, electric drive train, parasitic elements, silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), wide bandgap, new semiconductor material, power semiconductors, optimization, modeling, simulation, EMC, filters, magnetic components, parasitic capacitances, hard switching, Power density, commutation mesh, inductance, capacitance, switching frequency, efficiency, impedance analysis, energy systems, renewable energies, edge steepness, intermediate circuit capacitor, power module, system components, mechatronic integration, electric machine, dc link, busbar, power contacts, LaSiC, gate drive path, multilayer technology, equivalent circuit diagram, low inductance, aluminum electrolytic capacitor, film capacitor |
Beschreibung
Für einen erfolgreichen Einsatz von Wide-Bandgap mit einer hohen Flankensteilheit ist die Beherrschung der parasitären Elemente von zentraler Bedeutung. Am Beispiel eines integrierten Traktionsumrichters auf Basis von Siliziumcarbid werden in dieser Arbeit die parasitären Elemente des Leistungs- und Ansteuerteils analysiert und optimiert. Ziel ist die gezielte Optimierung der parasitären Elemente in den Komponenten Leistungsmodul, Zwischenkreiskondensator, Zwischenkreis und Ansteuerpfad unter Berücksichtigung des Systemgedankens. Diese Arbeit liefert einen Beitrag für Design-Richtlinien von Systemkomponenten aus Sicht des Gesamtsystems, sodass Barrieren für den erfolgreichen Einsatz von Wide-Bandgap Leistungshalbleitern in Antriebsumrichtern überwunden werden können.
