Editorial Cuvillier

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Design und Realisierung GaN-HEMT basierter THz-Detektoren

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Design und Realisierung GaN-HEMT basierter THz-Detektoren (Volumen 72) (Tienda española)

Adam Rämer (Autor)

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In dieser Arbeit wird gezeigt, wie State-of-the-Art THz-Detektoren mittels eines niederfrequenten Standard MMIC Prozesses zu realisieren sind. Für den zugrundeliegenden Detektionsmechanismus wird die theoretische Grundlage hergeleitet und herausgearbeitet, wie die einzelnen Elemente des Detektors interagieren. Die THz-Detektoren sind in einem GaN-on-SiC-HEMT-MMIC-Prozess realisiert. Dabei werden Bow-Tie-Antennen, logarithmische Spiralantennen und die jeweilige komplementäre Schlitz-Antennenkonfiguration miteinander verglichen. In diesem Zusammenhang wurde ein neuartiges Design entworfen, welches in Japan, den USA und der Europäischen Union erfolgreich zum Patent angemeldet ist.
Die gesamte Detektorstruktur wird durch Simulationen und Gegenüberstellungen von Messungen an gefertigten THz-Detektorstrukturen verifiziert. Im Vergleich zwischen den simulierten und den gemessenen Detektionsströmen zeigt sich, trotz noch vorhandener Unsicherheiten bei Messung und Modell, über der Frequenz von 0,1 THz bis 1,2 THz eine gute Übereinstimmung. Die Kombination einer mittels 3D-EM-Simulationen nachgebildeten passiven Antennenstruktur mit einem den inneren Transistor beschreibenden Modell zu einer Gesamtsimulation der Detektorstruktur ist ein fundamentaler Bestandteil dieser Arbeit. Die realisierten THz-Detektorstrukturen mit teils neuartigen Antennen sind bei Raumtemperatur besonders empfindlich und stellen den aktuellen Entwicklungstand von GaN-basierten THz-Detektoren dar. Der Hauptdetektionsmechanismus liegt dabei im resistiven Selbstmischen, wodurch die Detektoren ein instantanes Ansprechverhalten bei hoher Linearität besitzen.

ISBN-13 (Impresion) 9783736977433
ISBN-13 (E-Book) 9783736967434
Idioma Deutsch
Numero de paginas 172
Laminacion de la cubierta mate
Edicion 1.
Serie Innovationen mit Mikrowellen und Licht. Forschungsberichte aus dem Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik
Volumen 72
Lugar de publicacion Göttingen
Lugar de la disertacion Berlin
Fecha de publicacion 23.03.2023
Clasificacion simple Tesis doctoral
Area Ingeniería eléctrica
Palabras claves GaN-HEMT, THz-Detektor, THz detector, MMIC Prozess, MMIC process, GHz-Bereich, GaN-on-SiC-HEMT-MMIC-Prozess, GaN-on-SiC-HEMT-MMIC process, Bow-Tie-Antenne, Bow-Tie antenna, Logarithmische Spiralantenne, corkscrew antenna, Schlitz-Antennenkonfiguration, stenopeic configuration of the antennas, THz-Detektorstrukturen, THz detector structures, 3D-EM-Simulationen, 3D-EM simulations, Resistive Selbstmischung, Plasmonische Detektion, Plasmonisches Ersatzschaltbild, Gate-Source-Kurzschluss, Silizium-Linse, DC-Verhalten, HF-Messungen, Modellierung, Resistive self-mixing, plasmonic detection, plasmonic equivalent circuit, gate-source short, silicon lens, DC behaviour, RF measurements, modelling, Röntgenspektrum, X-ray spectrum, Spektralbereich, Spectral range, Photonik, Halbleiterlaser, semiconductor laser, thermische Energie, thermal energy, Radar-Auflösung, radar resolution, Freiraumwellenlänge, free-space wavelength, THz-Strahlung, THz-radiation, Spektroskopie, spectroscopy, bipolare Transistoren, bipolar transistors, Halbleitertechnologien, semiconductor technologies, plasmonisches Mischen, plasmonic mixing, Taylorreihe, Strommessgerät, Kristallgitter, crystal lattice, Plasmawellenlänge, plasma wavelength