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Integrierte Hochfrequenzschaltungen in SiGe BiCMOS-Technologien für die breitbandige Datenübertragung im D-Band

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Integrierte Hochfrequenzschaltungen in SiGe BiCMOS-Technologien für die breitbandige Datenübertragung im D-Band (Tienda española)

Tim Maiwald (Autor)

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Mit der Einführung des Mobilfunkstandards der 5. Generation (5G) halten mm-Wellen- und Sub-THz Systeme Einzug in den Mainstream der drahtlosen kommerziellen Kommunikationstechnik. Da Frequenzbänder jenseits von 100 GHz (wie z. B. innerhalb des
D-Bandes von 110-170 GHz) neuartige und kompakte Systeme, sowie die effiziente Nutzung großer Gesamtbandbreiten von mehreren 10 GHz ermöglichen, genießen sie derzeit in Forschung und Entwicklung ein gesteigertes Interesse. Mit den für die 6. Mobilfunkgeneration (6G) prognostizierten Datenraten in der Größenordnung mehrerer 100 Gbit/s erwachsen damit auch neue technische Herausforderungen und dementsprechende Lösungsansätze.
Diese Arbeit beschäftigt sich mit dem Entwurf und der Charakterisierung breitbandiger Hochfrequenzkomponenten für Sender und Empfänger im D-Band unter Einsatz aktueller SiGe BiCMOS Technologien. Neben der einführenden Betrachtung
theoretischer und technologischer Möglichkeiten wird eine (teil-)automatisierte Designmethodik eingeführt, welche zur Unterstützung des Schaltungsentwurfs in dieser Arbeit verwendet wurde. Letzteres gilt insbesondere für den Einsatz und die Optimierung passiver, leitungsbasierter Komponenten, wie Anpassnetzwerke und Koppler. Diese eignen sich dank kleiner Wellenlängen oberhalb von 100 GHz für die Chipintegration und weiseninhärent breitbandige Eigenschaften auf.

ISBN-13 (Impresion) 9783736978911
ISBN-13 (E-Book) 9783736968912
Idioma Deutsch
Numero de paginas 176
Laminacion de la cubierta mate
Edicion 1.
Volumen 0
Lugar de publicacion Göttingen
Lugar de la disertacion Universität Erlangen-Nürnberg
Fecha de publicacion 10.10.2023
Clasificacion simple Tesis doctoral
Area Ingeniería eléctrica
Palabras claves Mobilfunkstandard der 5. Generation, Advanced Design Systems, Antennen im Gehäuse, Additives Weißes Gaussches Rauschen, Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, Digital-Analog-Umsetzter, Double-Side-Band, Heterojunction Bipolar Transistor