Methoden zur Phasenrauschverbesserung von monolithischen Millimeterwellen-Oszillatoren (Band 4)

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In der vorliegenden Arbeit wird die Optimierung des
Phasenrauschens von monolithischen Millimeterwellenoszillatoren
im Frequenzbereich von 1 bis 120 GHz behandelt.
Es werden verschiedene Entwurfsverfahren von
Oszillatoren hinsichtlich ihrer Eignung für die spezifischen
Erfordernisse des monolithischen Schaltungsdesigns untersucht.
Ein Schwerpunkt liegt auf der Untersuchung der Wirksamkeit
unterschiedlicher Methoden zur Verringerung des Oszillatorphasenrauschens
anhand von realisierten MMICs
auf GaAs. Diese Methoden beziehen sich auf den Einfluß
der Oszillatorgüte, des Niederfrequenzrauschens, des
Arbeitspunktes und des Varaktors.
Ebenfalls untersucht wird das differentielle Oszillatorkonzept,
da sich dieses als besonders vorteilhaft für die Erzielung
niedrigen Phasenrauschens erwiesen hat.
Abschließend werden einige im Rahmen der Arbeit entstandene
Oszillatoren beschrieben, die sich durch ein besonders
geringes Phasenrauschen auszeichneten