Sulfidische photochemische Passivierung von GaAs - Halbleiteroberflächen

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Reale Grenzflächen von III-V-Halbleitern sind häufig an der Oberfläche oxidiert und deshalb durch sehr hohe elektronische Zustandsdichten innerhalb der Bandlücke gekennzeichnet. Diese hohen Zustandsdichten stellen ein gravierendes Problem bei der Herstellung optoelektronischer Bauelemente dar, weil sie die energetische Lage des Ferminiveaus an der Halbleiteroberfläche pinnen. Die Lösung dieses Problems liegt in einer geeigneten Passivierungstechnologie, die die Zustandsdichte an der Halbleiteroberfläche deutlich senkt und damit das besagte Pinning des Ferminiveaus aufhebt. Im Rahmen dieser Arbeit wird der sulfidische Passivierungsprozess an dem III-V-Halbleiter GaAs detailliert experimentell und theoretisch erforscht mit dem Ziel, ein grundlegendes Verständnis des Passivierungsvorgangs, insbesondere auch bei zusätzlicher Beleuchtung, zu erreichen, sowie durch gezielte Variation unterschiedlicher Passivierungsparameter deren Einfluss zu untersuchen und den Oberflächenbehandlungsprozess zu optimieren. Dabei kommen verschiedene Charakterisierungsverfahren zum Einsatz, die dazu dienen die Effizienz der Passivierung zu beurteilen und genauere Informationen über den Passivierungsprozess zu gewinnen.