| Areas | |
|---|---|
| Serie de libros (96) |
1371
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| Nachhaltigkeit |
3
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| Gesundheitswesen |
1
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| Letra |
2359
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| Ciencias Naturales |
5400
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| Ciencias Ingeniería |
1785
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| Ingeniería | 291 |
| Ingeniería mecánica y de proceso | 861 |
| Ingeniería eléctrica | 682 |
| Mineria y metalurgía | 30 |
| Arquitectura e ingeniería civil | 75 |
| General |
97
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Leitlinien Unfallchirurgie
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Diese Arbeit untersucht das betriebsinduzierte Degradationsverhalten von InAlGaN-basierten UV-C und UV-B LEDs. Durch Analyse des zeitlichen Verlaufs von elektroopti-schen Parametern, wie beispielsweise optische Leistung und Betriebsspannung, sowie Materialanalytischen Messungen konnten drei Degradationsmechanismen identifiziert werden, welche zu einer Reduktion der optischen Leistung der LEDs führen: Die Aktivie-rung von Magnesium-Wasserstoff-Komplexen, die Bildung von Punktdefekten in der akti-ven Zone, sowie die Diffusion von Punktdefekten in die aktive Zone. Optimierungen der Heterostruktur, des p-Dotierprofil und der Elektronenblockierschicht verbesserten die Lochinjektion und strahlende Rekombination, wodurch die initiale Leistung erhöht und die Lebensdauer der LEDs deutlich gesteigert werden konnte.
| ISBN-13 (Impresion) | 9783689528744 |
| ISBN-13 (E-Book) | 9783689528751 |
| Idioma | Alemán |
| Numero de paginas | 202 |
| Laminacion de la cubierta | mate |
| Edicion | 1. |
| Serie | Innovationen mit Mikrowellen und Licht. Forschungsberichte aus dem Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik |
| Volumen | 79 |
| Lugar de publicacion | Göttingen |
| Fecha de publicacion | 20.06.2025 |
| Clasificacion simple | Tesis doctoral |
| Area |
Ciencias Ingeniería
Ingeniería eléctrica |
| Palabras claves | Ladungsträger, Strahlungsquellen, Halbleiter, Inalgan, Leckstrom, nichtstrahlend, Rekombination, Photostrom, LED, Degradationsmechanismen, Degradationsverhalten, elektrooptisch, Elektronenblockierschicht, Molekularstrahlepitaxie, metallorganische Gasphasenepitaxie, Charge carriers, radiation sources, semiconductors, Inalgan, leakage current, non-radiating, recombination, photocurrent, LED, degradation mechanisms, degradation behaviour, electro-optical, electron blocking layer, molecular beam epitaxy, metal-organic vapour phase epitaxy |