Cuvillier Verlag

Publications, Dissertations, Habilitations & Brochures.
International Specialist Publishing House for Science and Economy

Cuvillier Verlag

De En Es
Untersuchung der Degradation von InAlGaN-basierten ultravioletten Leuchtdioden zur Verbesserung der Zuverlässigkeit

Hard Copy
EUR 67.32

E-book
EUR 47.12

Untersuchung der Degradation von InAlGaN-basierten ultravioletten Leuchtdioden zur Verbesserung der Zuverlässigkeit (Volume 79) (English shop)

Johannes Glaab (Author)

Preview

Extract, PDF (520 KB)
Table of Contents, PDF (53 KB)

Diese Arbeit untersucht das betriebsinduzierte Degradationsverhalten von InAlGaN-basierten UV-C und UV-B LEDs. Durch Analyse des zeitlichen Verlaufs von elektroopti-schen Parametern, wie beispielsweise optische Leistung und Betriebsspannung, sowie Materialanalytischen Messungen konnten drei Degradationsmechanismen identifiziert werden, welche zu einer Reduktion der optischen Leistung der LEDs führen: Die Aktivie-rung von Magnesium-Wasserstoff-Komplexen, die Bildung von Punktdefekten in der akti-ven Zone, sowie die Diffusion von Punktdefekten in die aktive Zone. Optimierungen der Heterostruktur, des p-Dotierprofil und der Elektronenblockierschicht verbesserten die Lochinjektion und strahlende Rekombination, wodurch die initiale Leistung erhöht und die Lebensdauer der LEDs deutlich gesteigert werden konnte.

ISBN-13 (Hard Copy) 9783689528744
ISBN-13 (eBook) 9783689528751
Language Alemán
Page Number 202
Lamination of Cover matt
Edition 1.
Book Series Innovationen mit Mikrowellen und Licht. Forschungsberichte aus dem Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik
Volume 79
Publication Place Göttingen
Publication Date 2025-06-20
General Categorization Dissertation
Departments Engineering
Electrical engineering
Keywords Ladungsträger, Strahlungsquellen, Halbleiter, Inalgan, Leckstrom, nichtstrahlend, Rekombination, Photostrom, LED, Degradationsmechanismen, Degradationsverhalten, elektrooptisch, Elektronenblockierschicht, Molekularstrahlepitaxie, metallorganische Gasphasenepitaxie, Charge carriers, radiation sources, semiconductors, Inalgan, leakage current, non-radiating, recombination, photocurrent, LED, degradation mechanisms, degradation behaviour, electro-optical, electron blocking layer, molecular beam epitaxy, metal-organic vapour phase epitaxy