Cuvillier Verlag GmbH
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Leitlinien Unfallchirurgie
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Untersuchung der Degradation von InAlGaN-basierten ultravioletten Leuchtdioden zur Verbesserung der Zuverlässigkeit (Volume 79) (English shop)
Johannes Glaab (Author)Preview
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Diese Arbeit untersucht das betriebsinduzierte Degradationsverhalten von InAlGaN-basierten UV-C und UV-B LEDs. Durch Analyse des zeitlichen Verlaufs von elektroopti-schen Parametern, wie beispielsweise optische Leistung und Betriebsspannung, sowie Materialanalytischen Messungen konnten drei Degradationsmechanismen identifiziert werden, welche zu einer Reduktion der optischen Leistung der LEDs führen: Die Aktivie-rung von Magnesium-Wasserstoff-Komplexen, die Bildung von Punktdefekten in der akti-ven Zone, sowie die Diffusion von Punktdefekten in die aktive Zone. Optimierungen der Heterostruktur, des p-Dotierprofil und der Elektronenblockierschicht verbesserten die Lochinjektion und strahlende Rekombination, wodurch die initiale Leistung erhöht und die Lebensdauer der LEDs deutlich gesteigert werden konnte.
| ISBN-13 (Hard Copy) | 9783689528744 |
| ISBN-13 (eBook) | 9783689528751 |
| Final Book Format | A5 |
| Language | German |
| Page Number | 202 |
| Lamination of Cover | matt |
| Edition | 1. |
| Book Series | Innovationen mit Mikrowellen und Licht. Forschungsberichte aus dem Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik |
| Volume | 79 |
| Publication Place | Göttingen |
| Publication Date | 2025-06-20 |
| General Categorization | Dissertation |
| Departments |
Engineering
Electrical engineering |
| Keywords | Ladungsträger, Strahlungsquellen, Halbleiter, Inalgan, Leckstrom, nichtstrahlend, Rekombination, Photostrom, LED, Degradationsmechanismen, Degradationsverhalten, elektrooptisch, Elektronenblockierschicht, Molekularstrahlepitaxie, metallorganische Gasphasenepitaxie, Charge carriers, radiation sources, semiconductors, Inalgan, leakage current, non-radiating, recombination, photocurrent, LED, degradation mechanisms, degradation behaviour, electro-optical, electron blocking layer, molecular beam epitaxy, metal-organic vapour phase epitaxy |
