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Untersuchung der Degradation von InAlGaN-basierten ultravioletten Leuchtdioden zur Verbesserung der Zuverlässigkeit

Printausgabe
EUR 67,32

E-Book
EUR 47,12

Untersuchung der Degradation von InAlGaN-basierten ultravioletten Leuchtdioden zur Verbesserung der Zuverlässigkeit (Band 79)

Johannes Glaab (Autor)

Vorschau

Leseprobe, PDF (520 KB)
Inhaltsverzeichnis, PDF (53 KB)

Diese Arbeit untersucht das betriebsinduzierte Degradationsverhalten von InAlGaN-basierten UV-C und UV-B LEDs. Durch Analyse des zeitlichen Verlaufs von elektroopti-schen Parametern, wie beispielsweise optische Leistung und Betriebsspannung, sowie Materialanalytischen Messungen konnten drei Degradationsmechanismen identifiziert werden, welche zu einer Reduktion der optischen Leistung der LEDs führen: Die Aktivie-rung von Magnesium-Wasserstoff-Komplexen, die Bildung von Punktdefekten in der akti-ven Zone, sowie die Diffusion von Punktdefekten in die aktive Zone. Optimierungen der Heterostruktur, des p-Dotierprofil und der Elektronenblockierschicht verbesserten die Lochinjektion und strahlende Rekombination, wodurch die initiale Leistung erhöht und die Lebensdauer der LEDs deutlich gesteigert werden konnte.

ISBN-13 (Printausgabe) 9783689528744
ISBN-13 (E-Book) 9783689528751
Sprache Deutsch
Seitenanzahl 202
Umschlagkaschierung matt
Auflage 1.
Buchreihe Innovationen mit Mikrowellen und Licht. Forschungsberichte aus dem Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik
Band 79
Erscheinungsort Göttingen
Erscheinungsdatum 20.06.2025
Allgemeine Einordnung Dissertation
Fachbereiche Ingenieurwissenschaften
Elektrotechnik
Schlagwörter Ladungsträger, Strahlungsquellen, Halbleiter, Inalgan, Leckstrom, nichtstrahlend, Rekombination, Photostrom, LED, Degradationsmechanismen, Degradationsverhalten, elektrooptisch, Elektronenblockierschicht, Molekularstrahlepitaxie, metallorganische Gasphasenepitaxie