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Dreidimensionale Licht emittierende  GaInN/GaN-Strukturen mit reduziertem piezoelektrischen Feld

Printausgabe
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Dreidimensionale Licht emittierende GaInN/GaN-Strukturen mit reduziertem piezoelektrischen Feld

Thomas Wunderer (Autor)

Vorschau

Inhaltsverzeichnis, Datei (52 KB)
Leseprobe, Datei (240 KB)

ISBN-13 (Printausgabe) 386955441X
ISBN-13 (Printausgabe) 9783869554419
ISBN-13 (E-Book) 9783736934412
Sprache Deutsch
Seitenanzahl 192
Auflage 1 Aufl.
Band 0
Erscheinungsort Göttingen
Promotionsort Universität Ulm
Erscheinungsdatum 11.08.2010
Allgemeine Einordnung Dissertation
Fachbereiche Physik
Elektrotechnik
Schlagwörter LED, semipolar, InGaN, GaN, QCSE, piezoelektrische Polarisation, selektive Epitaxie
Beschreibung

Gruppe III-Nitride besitzen das Potential, u.a. allgemeine Beleuchtungstechniken und Display-Anwendungen zu revolutionieren. Effiziente Licht-Emitter im nahen UV und blauen Spektralbereich sind heute bereits kommerziell erhältlich. Die Effizienz solcher Bauelemente sinkt jedoch kontinuierlich, je größer die Wellenlänge wird.
In dieser Arbeit werden zunächst die Ursachen dieser Effizienz-Abnahme im Hinblick auf Herstellungs-Bedingungen und induzierte elektrische Felder detailliert diskutiert. Zur Steigerung der Lichtausbeute stehen dann neuartige LED-Typen im Fokus, deren aktive Zone auf dreidimensionale Ga(In)N-Strukturen mit weniger polaren Kristall-Oberflächen abgeschieden wurde. Es wird gezeigt, dass diese Methode geeignet ist, qualitativ hochwertige semipolare GaN-basierte Bauelemente auf konventionellen Substrat-Größen zu realisieren.