Dreidimensionale Licht emittierende GaInN/GaN-Strukturen mit reduziertem piezoelektrischen Feld

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Gruppe III-Nitride besitzen das Potential, u.a. allgemeine Beleuchtungstechniken und Display-Anwendungen zu revolutionieren. Effiziente Licht-Emitter im nahen UV und blauen Spektralbereich sind heute bereits kommerziell erhältlich. Die Effizienz solcher Bauelemente sinkt jedoch kontinuierlich, je größer die Wellenlänge wird.
In dieser Arbeit werden zunächst die Ursachen dieser Effizienz-Abnahme im Hinblick auf Herstellungs-Bedingungen und induzierte elektrische Felder detailliert diskutiert. Zur Steigerung der Lichtausbeute stehen dann neuartige LED-Typen im Fokus, deren aktive Zone auf dreidimensionale Ga(In)N-Strukturen mit weniger polaren Kristall-Oberflächen abgeschieden wurde. Es wird gezeigt, dass diese Methode geeignet ist, qualitativ hochwertige semipolare GaN-basierte Bauelemente auf konventionellen Substrat-Größen zu realisieren.