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Methoden zur Defektreduktion von Galliumnitrid-Substraten und -Quasisubstraten

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Methoden zur Defektreduktion von Galliumnitrid-Substraten und -Quasisubstraten

Frank Stefan Habel (Autor)

Previo

Indice, Datei (24 KB)
Lectura de prueba, Datei (280 KB)

ISBN-10 (Impresion) 3867279985
ISBN-13 (Impresion) 9783867279987
ISBN-13 (E-Book) 9783736929982
Idioma Deutsch
Numero de paginas 146
Laminacion de la cubierta Brillante
Edicion 1
Volumen 0
Lugar de publicacion Göttingen
Lugar de la disertacion Ulm
Fecha de publicacion 02.10.2006
Clasificacion simple Tesis doctoral
Area Ingeniería eléctrica
Descripcion

Das Material Galliumnitrid ist bereits heute für die optische Datenspeicherung (Blu-ray Disc, HD-DVD) und die Allgemeinbeleuchtung von großer Bedeutung. Weiß emittierende Leuchtdioden (LEDs) sollen schon in naher Zukunft Glühbirnen und Leuchtstoffröhren ersetzen, da sie wesentlich energiesparender, langlebiger und robuster sind. Für diese Anwendungen sind Halbleiterkristalle von besonders hoher Qualität notwendig.

Diese Arbeit beschäftigt sich daher mit zwei Verfahren zur Herstellung von Galliumnitrid mit geringer Versetzungsdichte und hoher Kristallperfektion, wie es für die Weiterentwicklung der Bauelemente notwendig ist. Einerseits wird ausgehend von einer grundlegenden Untersuchung der Prozessparameter das MOVPE-Wachstum auf strukturierten Substraten diskutiert und bis zu einem mehrstufigen Facetten-kontrollierten Verfahren weiterentwickelt. Andererseits wird die Herstellung massiver GaN Kristalle mittels Hydrid-Gasphasenepitaxie (HVPE) beschrieben, dem aussichtsreichsten Verfahren für die industrielle Fertigung dieses Materials.

Stichwortliste:

Galliumnitrid, GaN, Versetzungen, Versetzungsdichte, ELO, FACELO, MOVPE, HVPE, Hydrid-Gasphasenepitaxie