Cookies helfen uns bei der Bereitstellung unserer Dienste. Durch die Nutzung unserer Dienste erklären Sie sich damit einverstanden, dass wir Cookies setzen.
De En Es
Kundenservice: +49 (0) 551 - 547 24 0

Cuvillier Verlag

30 Jahre Kompetenz im wissenschaftlichen Publizieren
Internationaler Fachverlag für Wissenschaft und Wirtschaft

Cuvillier Verlag

Premiumpartner
De En Es
Titelbild-leitlinien
Methoden zur Defektreduktion von Galliumnitrid-Substraten und -Quasisubstraten

Printausgabe
EUR 23,00 EUR 21,85

E-Book
EUR 16,10

Methoden zur Defektreduktion von Galliumnitrid-Substraten und -Quasisubstraten

Frank Stefan Habel (Autor)

Vorschau

Inhaltsverzeichnis, Datei (24 KB)
Leseprobe, Datei (280 KB)

ISBN-13 (Printausgabe) 3867279985
ISBN-13 (Printausgabe) 9783867279987
ISBN-13 (E-Book) 9783736929982
Sprache Deutsch
Seitenanzahl 146
Umschlagkaschierung glänzend
Auflage 1
Band 0
Erscheinungsort Göttingen
Promotionsort Ulm
Erscheinungsdatum 02.10.2006
Allgemeine Einordnung Dissertation
Fachbereiche Elektrotechnik
Beschreibung

Das Material Galliumnitrid ist bereits heute für die optische Datenspeicherung (Blu-ray Disc, HD-DVD) und die Allgemeinbeleuchtung von großer Bedeutung. Weiß emittierende Leuchtdioden (LEDs) sollen schon in naher Zukunft Glühbirnen und Leuchtstoffröhren ersetzen, da sie wesentlich energiesparender, langlebiger und robuster sind. Für diese Anwendungen sind Halbleiterkristalle von besonders hoher Qualität notwendig.

Diese Arbeit beschäftigt sich daher mit zwei Verfahren zur Herstellung von Galliumnitrid mit geringer Versetzungsdichte und hoher Kristallperfektion, wie es für die Weiterentwicklung der Bauelemente notwendig ist. Einerseits wird ausgehend von einer grundlegenden Untersuchung der Prozessparameter das MOVPE-Wachstum auf strukturierten Substraten diskutiert und bis zu einem mehrstufigen Facetten-kontrollierten Verfahren weiterentwickelt. Andererseits wird die Herstellung massiver GaN Kristalle mittels Hydrid-Gasphasenepitaxie (HVPE) beschrieben, dem aussichtsreichsten Verfahren für die industrielle Fertigung dieses Materials.

Stichwortliste:

Galliumnitrid, GaN, Versetzungen, Versetzungsdichte, ELO, FACELO, MOVPE, HVPE, Hydrid-Gasphasenepitaxie