Areas | |
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Serie de libros (92) |
1307
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Letra |
2291
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Ciencias Naturales |
5354
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Ciencias Ingeniería |
1745
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Ingeniería | 284 |
Ingeniería mecánica y de proceso | 841 |
Ingeniería eléctrica | 670 |
Mineria y metalurgía | 30 |
Arquitectura e ingeniería civil | 73 |
General |
91
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Leitlinien Unfallchirurgie
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Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der technologischen Entwicklung eines CMOS (Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor) Prozesses zur Herstellung von integrierten Schaltungen. Dabei werden Siliziumoxid und Aluminiumoxid als Gatedielektrika verwendet und untersucht. Dadurch ergibt sich ein Vergleich zwischen einem selbstjustierenden Gate-Prozess, mit Polysilizium als Gateelektrode und Siliziumoxid als Dielektrikum, und dem Metal-Gate Prozess mit einem Gatestack basierend auf Aluminiumoxid mit metallischer Gateelektrode. Neben den theoretischen Grundlagen zur Thematik der Feldeffekttransistoren wird auf das statische Verhalten des CMOS-Inverters eingegangen. Dieser wird im Rahmen der Arbeit als integrierte Schaltung hergestellt. Der Schwerpunkt dieser Arbeit liegt auf der elektrischen Charakterisierung und dem Vergleich mit analytischen Berechnungen.
ISBN-13 (Impresion) | 9783954043514 |
ISBN-13 (E-Book) | 9783736943513 |
Idioma | Deutsch |
Numero de paginas | 216 |
Laminacion de la cubierta | Brillante |
Edicion | 1. Aufl. |
Lugar de publicacion | Göttingen |
Lugar de la disertacion | Universität der Bundeswehr München |
Fecha de publicacion | 11.02.2013 |
Clasificacion simple | Tesis doctoral |
Area |
Ingeniería eléctrica
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Palabras claves | Halbleitertechnologie, CMOS, High-k Metal-Gate, Allgemeine Elektrotechnik |