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Herstellung und Charakterisierung von high-k Metal-Gate CMOS Transistoren

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Herstellung und Charakterisierung von high-k Metal-Gate CMOS Transistoren (Tienda española)

Josef Biba (Autor)

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Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der technologischen Entwicklung eines CMOS (Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor) Prozesses zur Herstellung von integrierten Schaltungen. Dabei werden Siliziumoxid und Aluminiumoxid als Gatedielektrika verwendet und untersucht. Dadurch ergibt sich ein Vergleich zwischen einem selbstjustierenden Gate-Prozess, mit Polysilizium als Gateelektrode und Siliziumoxid als Dielektrikum, und dem Metal-Gate Prozess mit einem Gatestack basierend auf Aluminiumoxid mit metallischer Gateelektrode. Neben den theoretischen Grundlagen zur Thematik der Feldeffekttransistoren wird auf das statische Verhalten des CMOS-Inverters eingegangen. Dieser wird im Rahmen der Arbeit als integrierte Schaltung hergestellt. Der Schwerpunkt dieser Arbeit liegt auf der elektrischen Charakterisierung und dem Vergleich mit analytischen Berechnungen.

ISBN-13 (Impresion) 9783954043514
ISBN-13 (E-Book) 9783736943513
Idioma Deutsch
Numero de paginas 216
Laminacion de la cubierta Brillante
Edicion 1. Aufl.
Lugar de publicacion Göttingen
Lugar de la disertacion Universität der Bundeswehr München
Fecha de publicacion 11.02.2013
Clasificacion simple Tesis doctoral
Area Ingeniería eléctrica
Palabras claves Halbleitertechnologie, CMOS, High-k Metal-Gate, Allgemeine Elektrotechnik