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Herstellung und Charakterisierung von high-k Metal-Gate CMOS Transistoren

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Herstellung und Charakterisierung von high-k Metal-Gate CMOS Transistoren

Josef Biba (Autor)

Vorschau

Leseprobe, PDF (210 KB)
Inhaltsverzeichnis, PDF (28 KB)

Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der technologischen Entwicklung eines CMOS (Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor) Prozesses zur Herstellung von integrierten Schaltungen. Dabei werden Siliziumoxid und Aluminiumoxid als Gatedielektrika verwendet und untersucht. Dadurch ergibt sich ein Vergleich zwischen einem selbstjustierenden Gate-Prozess, mit Polysilizium als Gateelektrode und Siliziumoxid als Dielektrikum, und dem Metal-Gate Prozess mit einem Gatestack basierend auf Aluminiumoxid mit metallischer Gateelektrode. Neben den theoretischen Grundlagen zur Thematik der Feldeffekttransistoren wird auf das statische Verhalten des CMOS-Inverters eingegangen. Dieser wird im Rahmen der Arbeit als integrierte Schaltung hergestellt. Der Schwerpunkt dieser Arbeit liegt auf der elektrischen Charakterisierung und dem Vergleich mit analytischen Berechnungen.

ISBN-13 (Printausgabe) 9783954043514
ISBN-13 (E-Book) 9783736943513
Sprache Deutsch
Seitenanzahl 216
Umschlagkaschierung glänzend
Auflage 1. Aufl.
Erscheinungsort Göttingen
Promotionsort Universität der Bundeswehr München
Erscheinungsdatum 11.02.2013
Allgemeine Einordnung Dissertation
Fachbereiche Elektrotechnik
Schlagwörter Halbleitertechnologie, CMOS, High-k Metal-Gate, Allgemeine Elektrotechnik