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Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der technologischen Entwicklung eines CMOS (Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor) Prozesses zur Herstellung von integrierten Schaltungen. Dabei werden Siliziumoxid und Aluminiumoxid als Gatedielektrika verwendet und untersucht. Dadurch ergibt sich ein Vergleich zwischen einem selbstjustierenden Gate-Prozess, mit Polysilizium als Gateelektrode und Siliziumoxid als Dielektrikum, und dem Metal-Gate Prozess mit einem Gatestack basierend auf Aluminiumoxid mit metallischer Gateelektrode. Neben den theoretischen Grundlagen zur Thematik der Feldeffekttransistoren wird auf das statische Verhalten des CMOS-Inverters eingegangen. Dieser wird im Rahmen der Arbeit als integrierte Schaltung hergestellt. Der Schwerpunkt dieser Arbeit liegt auf der elektrischen Charakterisierung und dem Vergleich mit analytischen Berechnungen.
ISBN-13 (Printausgabe) | 9783954043514 |
ISBN-13 (E-Book) | 9783736943513 |
Sprache | Deutsch |
Seitenanzahl | 216 |
Umschlagkaschierung | glänzend |
Auflage | 1. Aufl. |
Erscheinungsort | Göttingen |
Promotionsort | Universität der Bundeswehr München |
Erscheinungsdatum | 11.02.2013 |
Allgemeine Einordnung | Dissertation |
Fachbereiche |
Elektrotechnik
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Schlagwörter | Halbleitertechnologie, CMOS, High-k Metal-Gate, Allgemeine Elektrotechnik |