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Herstellung und Charakterisierung von high-k Metal-Gate CMOS Transistoren

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Herstellung und Charakterisierung von high-k Metal-Gate CMOS Transistoren (English shop)

Josef Biba (Author)

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Table of Contents, PDF (28 KB)

ISBN-13 (Hard Copy) 9783954043514
ISBN-13 (eBook) 9783736943513
Language Alemán
Page Number 216
Lamination of Cover glossy
Edition 1. Aufl.
Publication Place Göttingen
Place of Dissertation Universität der Bundeswehr München
Publication Date 2013-02-11
General Categorization Dissertation
Departments Electrical engineering
Keywords Halbleitertechnologie, CMOS, High-k Metal-Gate, Allgemeine Elektrotechnik
Description

Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der technologischen Entwicklung eines CMOS (Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor) Prozesses zur Herstellung von integrierten Schaltungen. Dabei werden Siliziumoxid und Aluminiumoxid als Gatedielektrika verwendet und untersucht. Dadurch ergibt sich ein Vergleich zwischen einem selbstjustierenden Gate-Prozess, mit Polysilizium als Gateelektrode und Siliziumoxid als Dielektrikum, und dem Metal-Gate Prozess mit einem Gatestack basierend auf Aluminiumoxid mit metallischer Gateelektrode. Neben den theoretischen Grundlagen zur Thematik der Feldeffekttransistoren wird auf das statische Verhalten des CMOS-Inverters eingegangen. Dieser wird im Rahmen der Arbeit als integrierte Schaltung hergestellt. Der Schwerpunkt dieser Arbeit liegt auf der elektrischen Charakterisierung und dem Vergleich mit analytischen Berechnungen.