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Leitlinien Unfallchirurgie
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Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der technologischen Entwicklung eines CMOS (Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor) Prozesses zur Herstellung von integrierten Schaltungen. Dabei werden Siliziumoxid und Aluminiumoxid als Gatedielektrika verwendet und untersucht. Dadurch ergibt sich ein Vergleich zwischen einem selbstjustierenden Gate-Prozess, mit Polysilizium als Gateelektrode und Siliziumoxid als Dielektrikum, und dem Metal-Gate Prozess mit einem Gatestack basierend auf Aluminiumoxid mit metallischer Gateelektrode. Neben den theoretischen Grundlagen zur Thematik der Feldeffekttransistoren wird auf das statische Verhalten des CMOS-Inverters eingegangen. Dieser wird im Rahmen der Arbeit als integrierte Schaltung hergestellt. Der Schwerpunkt dieser Arbeit liegt auf der elektrischen Charakterisierung und dem Vergleich mit analytischen Berechnungen.
ISBN-13 (Hard Copy) | 9783954043514 |
ISBN-13 (eBook) | 9783736943513 |
Language | Alemán |
Page Number | 216 |
Lamination of Cover | glossy |
Edition | 1. Aufl. |
Publication Place | Göttingen |
Place of Dissertation | Universität der Bundeswehr München |
Publication Date | 2013-02-11 |
General Categorization | Dissertation |
Departments |
Electrical engineering
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Keywords | Halbleitertechnologie, CMOS, High-k Metal-Gate, Allgemeine Elektrotechnik |