"Ultra-Kurzkanal Tunnel-Feldeffekt-Transistoren auf Silizium- und SOI-Substraten

Vorschau

Inhaltsverzeichnis, Datei (37 KB)
Leseprobe, Datei (130 KB)

Die kontinuierliche Leistungssteigerung von integrierten Schaltungen, welche zu einem großen Teil auf der Miniaturisierung (Scaling) von MOSFETs beruht, wird in den nächsten Jahren an seine physikalischen Grenzen stoßen. Der Tunnel-Feldeffekt-Transistor (TFET) ist ein neuartiges Bauelement, welches den MOSFET ersetzten könnte. Das Grundprinzip beruht auf der Steuerung von quantenmechanischem Interbandtunneln. In dieser Arbeit wird die Herstellung und Charakterisierung von TFETs mit ultra-kurzen Kanallängen beschrieben. Für die Herstellung der TFETs wurde die so genannte Spacer-Gate-Technologie entwickelt; hierbei handelt es sich um einen planaren, selbstjustierenden Prozess. Die Evaluierung des TFET als MOSFET-Nachfolger wurde dadurch um ein wichtiges Teilstück ergänzt. Mögliche Anwendungsgebiete von Tunnel-Feldeffekt-Transistoren liegen im Low-Power Bereich wie z. B. Speicherchips oder mobile Geräte.