Cookies helfen uns bei der Bereitstellung unserer Dienste. Durch die Nutzung unserer Dienste erklären Sie sich damit einverstanden, dass wir Cookies setzen.
De En Es
Kundenservice: +49 (0) 551 - 547 24 0

Cuvillier Verlag

30 Jahre Kompetenz im wissenschaftlichen Publizieren
Internationaler Fachverlag für Wissenschaft und Wirtschaft

Cuvillier Verlag

Premiumpartner
De En Es
Titelbild-leitlinien
"Ultra-Kurzkanal Tunnel-Feldeffekt-Transistoren auf Silizium- und SOI-Substraten

Printausgabe
EUR 23,00 EUR 21,85

E-Book
EUR 16,10

"Ultra-Kurzkanal Tunnel-Feldeffekt-Transistoren auf Silizium- und SOI-Substraten

Martin Sterkel (Autor)

Vorschau

Inhaltsverzeichnis, Datei (37 KB)
Leseprobe, Datei (130 KB)

ISBN-13 (Printausgabe) 386727715X
ISBN-13 (Printausgabe) 9783867277150
ISBN-13 (E-Book) 9783736927155
Sprache Deutsch
Seitenanzahl 150
Auflage 1 Aufl.
Band 0
Erscheinungsort Göttingen
Promotionsort TU München
Erscheinungsdatum 29.08.2008
Allgemeine Einordnung Dissertation
Fachbereiche Elektrotechnik
Beschreibung

Die kontinuierliche Leistungssteigerung von integrierten Schaltungen, welche zu einem großen Teil auf der Miniaturisierung (Scaling) von MOSFETs beruht, wird in den nächsten Jahren an seine physikalischen Grenzen stoßen. Der Tunnel-Feldeffekt-Transistor (TFET) ist ein neuartiges Bauelement, welches den MOSFET ersetzten könnte. Das Grundprinzip beruht auf der Steuerung von quantenmechanischem Interbandtunneln. In dieser Arbeit wird die Herstellung und Charakterisierung von TFETs mit ultra-kurzen Kanallängen beschrieben. Für die Herstellung der TFETs wurde die so genannte Spacer-Gate-Technologie entwickelt; hierbei handelt es sich um einen planaren, selbstjustierenden Prozess. Die Evaluierung des TFET als MOSFET-Nachfolger wurde dadurch um ein wichtiges Teilstück ergänzt. Mögliche Anwendungsgebiete von Tunnel-Feldeffekt-Transistoren liegen im Low-Power Bereich wie z. B. Speicherchips oder mobile Geräte.