Hochortsaufgelöste spektroskopische Untersuchungen an Galliumnitrid

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Die vorliegende Dissertation spannt den Bogen von den Grundlagen der Spektroskopie von Galliumnitrid (GaN) bis hin zur Auflösung einzelner Kristallversetzungen und richtet sich so an all jene, die einen tieferen Einblick in die materialwissenschaftlichen und spektroskopischen Grundlagen dieses für die Optoelektronik immer wichtiger werdenden Materials gewinnen wollen. Das Kerngebiet der Arbeit stellt die Mikrophotolumineszenz-Analyse von GaN mittels eines konfokalen Mikroskops dar. In freitragenden GaN-Schichten niedriger Versetzungsdichte lassen sich einzelne Kristallversetzungen nachweisen und spektroskopisch untersuchen. Durch die von ihnen hervorgerufene Verspannung ist es möglich Rückschlüsse auf die Art der Versetzung selbst (Burgers-Vektor von Stufenversetzungen) zu ziehen, was bisher nur mit aufwändigen Messmethoden, wie der Transmissionselektronenmikroskopie möglich war. Über die Verspannungen sind, wie elastizitätstheoretische Berechnungen in Übereinstimmung mit den Messergebnissen zeigen, auch Wechselwirkungen von Versetzungen möglich, die zu Ordnungseffekten über Mikrometer große Distanzen führen können. „Hochortsaufgelöste Spektroskopie an Galliumnitrid“ umfasst jedoch auch eine umfangreiche Beschreibung des Materialsystems GaN und seiner spektroskopischen Eigenschaften, eine kurze Einführung in die Elastizitätstheorie und detaillierte Beschreibungen und Tipps zur konfokalen Spektroskopie an GaN und bietet so auch Neueinsteigern in die Materie eine gute Einstiegslektüre mit umfangreichen Literaturhinweisen.