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Leitlinien Unfallchirurgie
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In dieser Arbeit wird die Rashba Spin-Bahn Wechselwirkung in zweidimensionalen Elektronengasen(2DEG) von III-V Schmalbandhalbleitern untersucht. Hauptursache der Spin-Bahn Wechselwirkung ist in diesen Halbleitern Strukturinversionsasymmetrie, deren Stärke durch den Rashba Parameter a beschrieben wird. Die Potentialgradienten senkrecht zum 2DEG und die Grenzflächen tragen zu a bei. In dieser Arbeit werden drei Messmethoden verwendet, um a zu bestimmen: Shubnikov-de Haas (SdH) Oszillationen in starken äußeren Magnetfeldern und Schwache Antilokalisierung (WAL) sowie Al’tshuler-Aronov-Spivak (AAS) Oszillationen in kleinen externen Magnetfeldern. Die Stärke von a wird durch Anlegen von Gatespannungen geregelt. Messungen an Inversionsschichten von p-Typ InAs Einkristallen sowie an InAs/In0.75Ga0.25As Heterostrukturen zeigen SdH Oszillationen und WAL.
ISBN-13 (Printausgabe) | 3865374492 |
ISBN-13 (Printausgabe) | 9783865374493 |
ISBN-13 (E-Book) | 9783736914490 |
Sprache | Deutsch |
Seitenanzahl | 102 |
Auflage | 1 Aufl. |
Band | 0 |
Erscheinungsort | Göttingen |
Promotionsort | Hamburg |
Erscheinungsdatum | 19.05.2005 |
Allgemeine Einordnung | Dissertation |
Fachbereiche |
Physik
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