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Entwicklung von GaAs-basierten Heterostruktur-Bipolartransistoren (HBTs) für Mikrowellen-Leistungszellen

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Entwicklung von GaAs-basierten Heterostruktur-Bipolartransistoren (HBTs) für Mikrowellen-Leistungszellen (Volume 6) (English shop)

Andre Maaßdorf (Author)

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Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit der Ent-wicklung von HBTs für hohe Leistungen und hohe Betriebsspannungen. Auf der Grundlage von GaAs/Ga0.5InP-HBTs mit geringer Ausgangsleistung wurden Modifikationen an Emitter und Kollektor vorgenommen.
Im ersten Teil der Arbeit werden kurz die relevanten Grundlagen des HBTs und der metallorganischen Gasphasenepitaxie (MOVPE) beleuchtet.
Im Hauptteil werden verschiedene Konzepte des Kollektor-Schichtdesigns zur Erreichung höherer Durchbruchspannungen vorgestellt. Ausgiebig wird hierbei ein D-HBT mit Ga0.5InP-Kollektor diskutiert, und die modellbasierte Anpassung des Basis-Kollektor-Heteroübergangs für eine hohe Strom-tragfähigkeit vorgestellt.
Der D-HBT wird anschließend hinsichtlich für den Leistungsbetrieb wichtiger Eigenschaften mit einem konventionellen Leistungs-HBT verglichen, und zeichnet sich u.a. durch eine höhere Durchbruch-spannung von 75 V bei aber fast halbierter Kollek-tordicke aus.
Abschließend wird die Optimierung des Wärmema-nagements montierter HBT-Chips diskutiert. So erreicht ein Flip-Chip-montierter Leistungs-HBT erreicht eine Ausgangsleistung von 14 W bei 2 GHz.

ISBN-13 (Printausgabe) 3867277435
ISBN-13 (Hard Copy) 9783867277433
ISBN-13 (eBook) 9783736927438
Language Alemán
Page Number 154
Edition 1 Aufl.
Book Series Innovationen mit Mikrowellen und Licht. Forschungsberichte aus dem Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik
Volume 6
Publication Place Göttingen
Place of Dissertation TU Berlin
Publication Date 2009-05-26
General Categorization Dissertation
Departments Electrical engineering