Cuvillier Verlag

Publications, Dissertations, Habilitations & Brochures.
International Specialist Publishing House for Science and Economy

Cuvillier Verlag

De En Es
Tunable Ferroelectric Matching Networks implemented into High Power RF Amplifiers for High Dynamic and Wideband Efficiency

Hard Copy
EUR 51.80

E-book
EUR 0.00

Download
PDF (2.3 MB)
Open Access CC BY 4.0

Tunable Ferroelectric Matching Networks implemented into High Power RF Amplifiers for High Dynamic and Wideband Efficiency (English shop)

Alex Wiens (Author)

Preview

Table of Contents, PDF (52 KB)
Extract, PDF (150 KB)

ISBN-13 (Hard Copy) 9783736995116
ISBN-13 (eBook) 9783736985117
Language English
Page Number 188
Lamination of Cover matt
Edition 1. Aufl.
Publication Place Göttingen
Place of Dissertation Darmstadt
Publication Date 2017-04-05
General Categorization Dissertation
Departments Electrical engineering
Keywords ferroelectrics, BST, passive circuits, power amplifiers tunable components
Description

In dieser interdisziplinären Arbeit werden die dielektrischen Eigenschaften von kontinuierlich steuerbaren ferroelektrischen Materialien hinsichtlich ihrer Eigenschaften im Hochleistungsbetrieb untersucht. Die dabei durchgeführten Untersuchungen reichen von der Materialebene, über die Modellierung der Komponenten bis hin zur Synthese von steuerbaren Hochfrequenzschaltungen.
Ein CAD-Ansatz zur Modellierung steuerbarer Kompositkeramiken wird vorgestellt. In dem vorgeschlagenen Modell werden zusätzliche Freiheitsgrade eingeführt, wodurch eine, im Vergleich zu bereits etablierten Methoden, akkuratere Beschreibung von zweiphasigen Kompositmaterialien gezeigt wird.
Erste systematische Untersuchungen von steuerbaren, auf Ferroelektrika basierten, Parallelplatenkondensatoren und uniplanaren Interdigitalkondensatoren IDCs für Hochleistungsanwendungen werden dargelegt. Design-Leitfäden werden für den Entwurf im Hochleistungsbetrieb aufgezeigt. Die untersuchten Komponenten werden als Teil eines kompakten, steuerbaren Anpassnetzwerks zusammen mit einem GaN HEM Transistor implementiert. Der somit steuerbare Verstärker wird hinsichtlich seiner Eigenschaften eingehend charakterisiert.