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Entwicklung aktiv gütegeschalteter Halbleiterlaser für LiDAR-Systeme des autonomen Fahrzeugs

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EUR 40.00

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EUR 28.00

Entwicklung aktiv gütegeschalteter Halbleiterlaser für LiDAR-Systeme des autonomen Fahrzeugs (Volume 75) (English shop)

Martin Kastner (Author)

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ISBN-13 (Hard Copy) 9783736979765
ISBN-13 (eBook) 9783736969766
Language Alemán
Page Number 154
Lamination of Cover matt
Edition 1.
Book Series Innovationen mit Mikrowellen und Licht. Forschungsberichte aus dem Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik
Volume 75
Publication Place Göttingen
Place of Dissertation TU Berlin
Publication Date 2024-05-13
General Categorization Dissertation
Departments Electrical engineering
Keywords Laser, Diodenlaser, Halbleiterlaser, LiDAR, Füllfaktor, Wellenleiter, Breitstreifenlaser, Gallium-Arsenid, Indium-Gallium-Arsenid, Wellenführung, Wellenleiter, Pulslänge, Picosekundenpulse, autonomes Fahren, Güteschalten, Pulserzeugung, Anti-Indexführung, Aktives Volumen, Auflösungsvermögen, Laufzeitmessung, Doppelheterostruktur, Kontaktstruktur, Bulk-Laser, Quantenfilm-Laser, Pulsleistung, Laserdesign, Infrarot, Simulation, Laserentwicklung, Ladungsträgerdichte, Sektionen, Schichtstruktur, Strahlquelle, Puldauer, Substrat, Moden, Fernfeld, Nahfeld, Relaxationsoszillation, Gewinnschalten, picosecond pulses, autonomous driving, Q-switching, pulse generation, Anti-index guidance, Active volume Resolution, Time-of-Flight, Double heterostructure, Contact structure, Bulk laser, Quantum film laser, Pulse power, Laser design, Infrared, Laser Simulation, Laser development, Charge carrier density, Sections, Layer structure, beam source, pulse duration, substrate, Modes, Far field, near field, Relaxation oscillation, Gain switching
Description

Durch die Steigerung der Pulsenergie und -leistung von kostengünstigen Diodenlasern mit einer Pulslänge, die deutlich kleiner ist als eine Nanosekunde, wird eine Verbesserung der Reichweite und Tiefenauflösung von LiDAR-Sensoren für das automatisierte Fahren ermöglicht. Diese Fortschritte eröffnen auch in anderen Anwendungsbereichen wie Lasertomographie, dreidimensionaler Bildgebung und Spektroskopie signifikante Vorteile.

Die vorliegende Arbeit untersucht ein neuartiges Konzept von aktiv gütegeschalteten zweisektionalen Halbleiterlasern, um hohe Injektionsströme zu erreichen und somit die Pulsparameter zu steigern. Im Rahmen dieser Untersuchung werden durch Simulationen die geometrischen Parameter analysiert und eine innovative vertikale Schichtstruktur entwickelt. Dabei wird ein dynamischer Antiguiding-Effekt durch die gezielte Steuerung des optischen Füllfaktors genutzt, um die Pulsenergie zu erhöhen und gleichzeitig die Pulsdauer zu verringern, was wiederum die optische Spitzenleistung verbessert.

Erste Experimente ergeben Pulsleistungen von 56 W und Pulsenergien von 15 nJ bei einer Pulslänge von 250 ps. Es wird gezeigt, dass ein großes Potenzial besteht, diese Werte weiter zu erhöhen. Die untersuchten Breitstreifenlaser basieren auf AlGaAs mit einer GaAs/InGaAs-aktiven Zone und einer Wellenlänge kleiner als 900 nm.