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Cuvillier Verlag

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Titelbild-leitlinien
Monolithische GaAs FET- und HBT-Oszillatoren mit verbesserter Transistormodellierung

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E-book
EUR 13.30

Monolithische GaAs FET- und HBT-Oszillatoren mit verbesserter Transistormodellierung (Volume 2)

Friedrich Lenk (Author)

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ISBN-13 (Printausgabe) 3865371078
ISBN-13 (Hard Copy) 9783865371072
ISBN-13 (eBook) 9783736911079
Language Alemán
Page Number 120
Edition 1 Aufl.
Book Series Innovationen mit Mikrowellen und Licht. Forschungsberichte aus dem Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik
Volume 2
Publication Place Göttingen
Place of Dissertation Berlin
Publication Date 2004-09-20
General Categorization Dissertation
Departments Informatics
Electrical engineering
Description

Die vorliegende Arbeit behandelt die Analyse und Optimierung von monolitisch integrierten Oszillatoren (MMIC-VCO) auf Gallium-Arsenid (GaAs). Der erste Teil beschäftigt sich mit der Kleinsignalmodellierung von GaAs-Feldeffekttransistoren (FETs) und Heterobipolartransistoren (HBTs). Es wird ein neuer Algorithmus für HBTs vorgestellt, der eine zuverlässige Extraktion der Elemente des Kleinsignalersatzschaltbildes ermöglicht und auch für HBTs aus anderen Materialsystemen (SiGe, InP) erfolgreich eingesetzt wurde. Ferner wird das niederfrequente Rauschen von GaAs HBTs untersucht und ein Extraktionsverfahren für die relevanten Rauschquellen entwickelt. Diese Ergebnisse werden dann auf den in der Mikrowellentechnik weit verbreiteten Reflexionsoszillator angewandt. Es wird der Zusammenhang zwischen Schleifenverstärkung, belasteter Güte und Phasenrauschen abgeleitet und analysiert. Dies führt zu einer neuen Designstrategie, mit der sich die belastete Güte maximieren l¨asst. Auf dieser Basis wurden MMIC-VCOs bei 38 GHz und 77 GHz realisiert, die Bestwerte in Bezug auf das Phasenrauschen erreichen.